回顾存储市场的可能性分析
据CNBC等外国媒体报道，大摩分析师Shawn Kim 6日指出，存储市况近几周来有恶化迹象，需求慢慢地趋疲，库存、定价压力与日俱增，而NAND型快闪存储的供给则委实太多。
Kim还提到，根据他最近向半导体业务、买家取得的讯息，PC、行动装置与这三大应用产品的需求动能，过去两周都明显趋缓，这恐怕会让第三季报价一路走弱。另外，由于需求降温的关系，(Samsung Electronics)、SK 海力士 (SK Hynix )的库存也愈堆愈多。
听闻此消息，美光在日前一口气重挫9.87%、收44.65美元，创2月22日来收盘低，跌幅居费半30支成分股之冠。
Baird分析师Tristan Gerra才刚在9月4日发表研究报告说明，智慧型手机的买气动能难以提振，NAND型快闪存储的供给过剩情况最近日益恶化。Gerra说，预估下半年智慧机的出货表现将相对疲弱，苹果 ( Apple Inc. )与中国智慧机供应链前景都不太妙。
Evercore ISI分析师CJ Muse 4日报告预测，2019年上半，NAND flash价格将重摔11~13%，他认为目前的存储定价周期与2014年末到2015年初情况相似，当时也出现存储装置需求大跌的状况。分析师估计，明年上半为止，NAND flash价格将大跌10%以上。
另外，根据FactSet纪录，晶圆检测设备制造商科磊 ( KLA-Tencor Corporation )财务长Bren Higgins 6日在花旗全球科学技术大会上也指出，由于DRAM市况的关系，六周前该公司原本预期10- 12月市况应会大幅好转，但如今他认为，市况好转幅度恐会略低于先前预估。他并表示，届时出货量应会持平、或出现个位数的减幅，逊于原先预估的持平或个位数增幅。
科磊6日闻讯大跌9.72%、收107.28美元，创7月30日来收盘低。费城半导体指6日终场则重挫2.67%(37.48点)、收1,366.35点，创8月23日以来收盘低，为6月25日以来最大单日跌幅。
美国其他半导体设备股同步下挫。半导体测试控制仪器商MKS Instruments, Inc.重挫8.21%、收85美元，创2017年9月8日来收盘低，跌幅在费半30支成分股中仅次于美光。同为费城成分股的半导体蚀刻机台制造商科林研发公司( Lam Research Corp. )，6日终场也下挫6.97%、收160.05美元，创2017年8月25日来收盘低。
过去两年是存储产业的好年景，根据Gartner的统计显示，去年前十的半导体厂商中，其中有一半是来自存储厂商，前五名的厂商中们也有三个是做存储的，且这些内存厂商的增长率较之别的行业的厂商，有明显的一马当先的优势。三星更是凭借存储价格的高涨，取代霸占半导体营收排名榜首二十多年的英特尔，成为新的半导体霸主。
Gartner统计显示，2017年存储市场营收增加将近500亿美元，市场规模达1,300亿美元，较2016年成长61.8％。2017年光是三星的存储营收就增加近200亿美元。DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，2017年DRAM价格持续上涨超过四成，同期NAND的价格涨幅也近四成。
在今年一季度和二季度，虽然很多分析师多方不看好存储的走势，但是DRAM依然还是持续上涨，三星、SK海力士和美光等厂商也都先后宣布了扩产计划。但进入最近，局面似乎有所转变。
在上月中，三星宣布，将原订本季完成每月增产3万片DRAM计划，决定延至今年底，为DRAM价格形成有力支撑。随着三星新产能扩充脚步延后、供给获得节制，一般预料，DRAM价格在今年11月前都将持稳不坠，台系DRAM大厂南亚科、华邦电今年营收也将同步缴出创历史上最新的记录佳绩。
三星未透露延后此次扩产时间的原因。业界分析，三星的财报当中，存储已是集团获利最大来源，占集团总获利比重高达78%，其中超过七成来自DRAM，在DRAM供需结构中，原本的供给缺口在各家去瓶颈填补下，逐渐缩小，导致近期市况开始松动。
据悉，三星考量若此时再开出每月3万片产能，将改变原本DRAM市场供不应求局面，恐进一步变成供给过剩，挑动市场敏感神经，导致DRAM价格转跌。
三星延后DRAM增产计划，也有法人圈认为进入1x/1y奈米微缩程后，技术难度提高，在良率未显著改善下，干脆延后。不过从多方角度分析，三星不愿破坏好不容易建立的DRAM获利模式，进而冲击集团整体获利，应该是最大关键。
存储业者分析，三星目前月产能逾40万片，每月增产3万片DRAM，等于让全球DRAM产能增3%，虽然下半年是DRAM备货旺季，市场通路端和电子应用端大厂却会等待三星扩建案再出手，导致第2季末市场买气趋于观望。
Digitimes援引业内人士的消息称三星、SK Hynix都打算推迟产能扩容计划，因为客户的真实需求放缓导致DRAM内存及NAND闪存价格在2019年上半年下滑。
来到NAND Flash方面，尽管第三季度是传统需求旺季，但今年全球市场供应仍然很充足，64层、72层堆叠3D闪存产能持续提升，但由于笔记本、智能手机市场都相当饱和，需求量开始上涨有限。同时，渠道供应链内堆积了大量NAND闪存芯片，进一步导致价格下滑，预计合约价会在今年第三季度环比下降10-15％，超出预期，第四季度则会再降15％。
消息人士称，行业领导者三星之前主要为自家的SSD及别的产品供应3D NAND闪存，今年Q3季度开始对外提供存储芯片。消息人士称三星也在放慢3D NAND闪存产能扩张的计划，新产能不可能在2019年上半年上线。
由于三星和SK海力士对全球的存储市场拥有很高的市场占有率。他们的这些决定释放出很强的信号：
据市场调查机构IHS MarkIt的多个方面数据显示，2017年三季度，在全球动态随机存储器(Dram)领域，三星电子的市场占有率占到了44.5%，排名第一。紧随其后的是同样来自韩国的SK 海力士公司，其市场占有率为27.9%，这两家韩国公司的产品占据世界Dram市场超过七成的份额，比第二季度有小幅增加。排名第三至第五的依次为，美国的美光科技(22.9%)、中国***的南亚科技(2.2%)以及华邦电子(0.8%)。
NAND Flash方面，该领域排名前五的巨头中，三星电子以39%的市场份稳居冠军，比上季度的市场占有率增加0.8%。排名第二至第五的依次为日本的东芝、美国的西部数据、美国的美光科技以及韩国的SK 海力士。三星和SK海力士几乎占据世界的Nand市场的半壁江山。
价格下跌，三星等厂商停止扩产护盘，对于谋求突破的中国存储厂商来说，是福是祸？
众所周知，过去两年，存储的大幅度涨价，中国成为了最直接的“受害者”，因为缺少关键的话事权，无论是供货还是利润方面，都没有很大的商量余地。吃够了亏的中国半导体产业唯加大投入在DRAM和NAND FLASH的建设中去，并且取得了不小的进展。
在上个月于重庆举办的“中国国际智能产业博览会”上，紫光集团董事长赵伟国透露，紫光集团会在2018 年底量产32 层64G的NAND Flash 快闪存储，在2019 年量产64 层128G 的NAND Flash 快闪存储，并同步研发128 层256G 的NAND Flash 快闪存储。
紫光集团联席总裁刁石京也强调，紫光会逐渐朝 64 层的3D NAND 技术研发迈进，且导入 Xtacking 技术，在国际上，存储产业高质量发展非常长的时间，我们从始至终在思考怎么样带来创新，Xtacking 技术就是最好的展现。紫光今年将量产 32 层的 3D NAND 芯片，明年将量产 64 层 3D NAND，与国际大厂的技术实力再度缩短。
他们还提出了全新的突破性 3D NAND 架构 Xtacking 技术，其输入输出速度有望与DDR4 的 I/O 速度一较高下，且与传统的 3D NAND 架构相较，Xtacking 技术可通过将外围电路置于存储单元之上，实现更高的存储密度，以及利用存储单元和外围电路的独立加工优势，缩短 3D NAND 产品的上市时间。
为了进一步推进存储国产化，长江存储的全资子公司武汉新芯集成电路制造有限公司在上个月底（以下简称武汉新芯）召开二期扩产项目现场推进会。二期扩产项目规划总投资17.8亿美元，建设自主代码型闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台。
来到DRAM方面，国产存储三大势力之一的合肥长鑫在七月中下旬正式投片，产品规格为8Gb LPDDR4，这是国产DRAM产业的一个里程碑。据合肥长鑫的王宁国之前的披露，合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nn的研发。
兆易创新的创办人朱一明更是全身心地投入到合肥长鑫的项目中，一同推动国产DRAM产业的更进一步。
众所周知，2017年10月，兆易创新宣布与合肥市产业投资控股（集团）有限公司合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器（含DRAM等）研发项目。这次全身心的投入，是继他们在Nor Flash和MCU领域突破后，再上一个新台阶的支柱。
来到福建晋华方面，该使用12英寸晶圆制造技术制造DRAM。消息的人说，生产线的建设早于原计划完成，生产线的一期工程将在第三季度投入生产。消息的人说，晋华公司原定的内存试生产时间是今年九月份，但可能会提前。根据早前的约定，晋华1期拟投入53亿美元，建设晶圆产线万片的规模。
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